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Large-size (1 7 x1.7 mm²) -Ga₂O₃ field-plated trench MOS-type Schottky barrier diodes with 1.2 kV breakdown voltage and 10⁹ high on/off current ratio

Fumio Otsuka,Hironobu Miyamoto,Akio Takatsuka,Shinji Kunori,Kohei Sasaki,Akito Kuramata

APPLIED PHYSICS EXPRESS（2022）

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