Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии

М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев,Ю.Н. Дроздов,О.И. Хрыкин,П.А. Юнин

Журнал технической физики（2017）

引用 0|浏览1

暂无评分

摘要

Развиваются новые возможности метода вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа атомного состава нанокластеров InGaAs в матрице GaAs. С использованием тестовых структур InxGa1-xAs получены нелинейные калибровочные зависимости "интенсивность-концентрация" для вторичных ионов In2As и InAs, которые не содержат нормировки на элементы матрицы Ga или As и позволяют селективно анализировать состав нанокластеров. Проведен количественный послойный анализ концентрации индия и определены статистические характеристики массивов нанокластеров в гетероструктурах InGaAs/GaAs. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635

查看译文

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要