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High-${k}$ HfO₂-Based AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Y₂O₃ Interfacial Layer for High Gate Controllability and Interface Quality

Ya-Ting Shi,Wei-Zong Xu,Chang-Kun Zeng,Fang-Fang Ren,Jian-Dong Ye,Dong Zhou,Dun-Jun Chen,Rong Zhang, Youdou Zheng,Hai Lu

IEEE Journal of the Electron Devices Society（2020）

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