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Static Performance and Threshold Voltage Stability Improvement of Al₂O₃/LaAlO₃/SiO₂ Gate-Stack for SiC Power MOSFETs

Linhua Huang,Yong Liu,Xin Peng,Yuichi Onozawa,Takashi Tsuji,Naoto Fujishima,Johnny K. O. Sin

IEEE Transactions on Electron Devices（2022）

引用 6|浏览13

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关键词

Channel mobility,interface trap,LaAlO3,SiC,threshold voltage stability

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