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Effect of the Coexistence of Active Metals and Boron Vacancies on the Performance of 2D Hexagonal Boron Nitride Resistance Memory

Cheng Ding,Yuehua Dai,Feifei Wang, Xing Li,Jianhua Gao,Bin Yang,Wenjuan Lu,Fei Yang

Vacuum（2022）

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关键词

First-principle,DFT,h-BN,RRAM,Boron vacancy

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