磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化
Kexue tongbao（2015）
Abstract
通过真空热退火、有效少子寿命(reff)的测量(利用微波光电导衰减μ-PCD法)和表面-界面光电子能谱分析(X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS)等方法,研究了磁控溅射沉积ITO(Indium Tin Oxide)薄膜过程中,等离子体中载能粒子束(原子/离子和紫外辉光)对超薄SiOx(1.5～2.0 nm)/c-Si(150 rn)样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的Teff衰减了90％以上,从105 μs减少到5ts.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30 μs,表明SiOx/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间SiOx薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.
MoreTranslated text
Key words
sputtering damage,SiOx/c-Si interface,μ-PCD,effective minority carrier lifetime,vacuum annealing,XPS
AI Read Science
Must-Reading Tree
Example
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined