原始粉BET,CIP压力与烧结温度对ITO靶材微观结构及结瘤情况的影响

以不同比表面积(BET)气化In2 O3和SnO2粉(In2O3/SnO2 =9∶1)为原料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出铟锡氧化物(ITO)坯体,又在不同温度条件下烧结制得ITO靶材.研究了原始粉BET,CIP压力与烧结温度对靶材微观结构及结瘤的影响,结果表明:BET更大的A配方粉末烧结活性更高,在较低的烧结温度即可致密,而微观结构致密性的提高有利于防止靶材结瘤;当CIP压力由285 MPa提高至400 MPa,坯体各方向收缩率明显增加,且相对密度由64.90％提高至70.23％,CIP压力继续提高至500 MPa,坯体密度不再继续增加,稳定在70％左右;在1540℃常压氧气氛烧结20h后,CIP压力为285 MPa和400 MPa的靶材相对密度均超过99.8％,晶粒尺寸均在4～ 10 μm,但前者含少量尺寸在2μmn以下的微孔,而后者微观致密性更好、晶内小微粒尺寸更大,且溅射后未出现结瘤;在1575℃常压氧气氛烧结20h后,CIP压力为285 MPa和400 MPa的靶材相对密度均超过99.8％,均未出现微孔缺陷,但靶材晶粒尺寸均偏大,范围大致在4～17 μm,其中400 MPa靶材出现了更多数量的异常大晶粒;当CIP压力均为400 MPa时,1575℃烧结靶材结瘤偏多,而1540℃烧结靶材未出现结瘤.