事件相关电位在颅脑外伤后智能损害评估中的应用

目的 探讨事件相关电位(ERP)在颅脑外伤后智能损害评估中的应用.方法 选取60例颅脑外伤后智能损害患者作为病例组,同时选取60例健康的受试者作为正常对照组,应用脑电生理仪记录并比较两组的P300和P50的差异.结果 患者组P300[(440.430±77.367) ms]较对照组[(342.928 ± 36.175) ms]潜伏期显著延长(P＜0.01)、波幅降低[患者组(12.692±8.152) μV,对照组(18.138 ±6.590) μV,P＜0.01].患者组S2-P50波幅明显高于对照组[患者组(3.75±1.59) μV,对照组(2.42 ± 1.43) μV,P＜0.01],S2-P50波幅/SI-P50波幅的比值明显大于对照组[患者组:(0.78±0.54),对照组:(0.46±0.18),P＜0.01].患者P300潜伏期和波幅与WAIS-RC总智商分呈显著相关(r=-0.31,P＜0.01;r=0.17,P＜0.01);S2-P50的波幅和S2-P50波幅与SI-P50波幅的比值均与WAIS-RC总智商分显著呈负相关(r=-0.33,P＜0.01;r=-0.45,P＜0.01).结论 ERP的P300和P50成分可为颅脑外伤后智能损害的司法鉴定提供参考.