基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料

Zhang Zhi-Rong,Fang Yu-Long,Yin Jia-Yun,Guo Yan-Min, Wang Bo,Wang Yuan-Gang,Li Jia,Lu Wei-Li,Gao Nan,Liu Pei,Feng Zhi-Hong

ACTA PHYSICA SINICA（2018）

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关键词

metal-organic chemical vapor deposition,GaN,thermal treatment,homo-epitaxial

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