Parameter Extraction and Compact Drain Current Model for IGZO Transistor from 210K Up to 370K

H. Cortes-Ordonez,W. E. Muhea,X. Mescot,G. Ghibaudo,M. Estrada,A. Cerdeira,B. Iniguez

LATIN AMERICAN ELECTRON DEVICES CONFERENCE (LAEDC 2020)（2020）

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关键词
Parameter extraction,temperature,characteristic curves,IGZO thin film transistors
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