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Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-Ray Irradiation at High Temperature

Takuma Matsuda,Takashi Yokoseki,Satoshi Mitomo,Koichi Murata,Takahiro Makino,Hiroshi Abe,Akinori Takeyama,Shinobu Onoda,Yuki Tanaka,Mikio Kandori,Toru Yoshie,Yasuto Hijikata,Takeshi Ohshima

Materials science forum（2016）

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