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在清言上使用
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Device Performance in a Fully Functional 800mhz DDR3 Spin Torque Magnetic Random Access Memory

J. Janesky,N. D. Rizzo,D. Houssameddine,R. Whig,F. B. Mancoff,M. DeHerrera, J. J. Sun, M. Schneider,H. J. Chia,S. Aggarwal,K. Nagel, S. Deshpande,T. Andre,S. Alam, C. H. Tan, J. M. Slaughter, S. Hellmold, P. LoPresti

2013 5TH IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)（2013）

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关键词
Spin Torque,MRAM,magnetic tunnel junction DDR3
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