XF(X=H,D,T)的高精度理论研究

运用包括非迭代三激发电子相关耦合簇CCSD(T)方法和Dunning等人使用的相关一致aug-CC-PVxZ(x=D,T,Q,5)自洽基组对XF(X=H,D,T)分子进行了结构优化,优化值然后被插值到CBS极限.结果表明随着x的增大aug-CC-PVxZ系列基组优化的结构逼近实验值,计算频率与实验值最大差距不足1%,最小仅为0.099%,平衡间距最大只有0.8%的差距.通过计算还表明:在结构优化和频率分析时CCSD(T)显示出优秀的特性,但在研究与边界态或解离有关的问题时,CCSD(T)不能给出良好的结果,相反CCSD方法却能给出合理的解离极限.最后我们研究了XF(X=H,D,T)的分子势能函数和光谱常数,理论结果与已知实验值吻合的非常好.首次获得了XF(X=H,D,T)系列分子的ω_ey_e,ω_eZ_e,β,γ,H_e,F_e值.