注意缺陷多动障碍儿童事件相关电位和智力特点

目的提高儿童注意缺陷多动障碍(ADHD)诊断、治疗及预后判断的客观性、准确性,观察ADHD患儿认知和智力障碍程度。方法对60例ADHD患儿(ADHD组)和60例健康对照儿童(健康对照组),分别以听觉靶和非靶刺激为诱发事件进行事件相关电位(ERP)P3波检测,采用《中国韦氏儿童智力量表》(C-WISC)检测患儿认知和智力能力,并比较二组儿童不同智力平衡性的ERPP3波测试结果。结果ADHD组患儿较健康对照组儿童P3波潜伏期明显延长(P<0.01),波幅差异不明显。C-WISC检测中总智商(FIQ)、言语智商(VIQ)、操作智商(PIQ)均低于健康对照组儿童(Pa<0.01);66.7%ADHD患儿VIQ低于PIQ15分以上,智力不平衡性明显高于健康对照组(P<0.01)。ADHD组及健康对照组智力不平衡(PIQ-VIQ差值≥15)儿童ERPP3波潜伏期较智力平衡(PIQ-VIQ差值<15)儿童延迟(P<0.05)。结论ERP儿童P3波的潜伏期是评价认知能力的方法,结合C-WISC测试能判断ADHD患儿认知和智力障碍程度,可作为ADHD诊断和预后判定的辅助依据之一。