纪志罡，2003/2006/2010年分别获得清华大学电气工程学本科学位，北京大学微电子学与固体电子学硕士学位，以及英国利物浦约翰摩尔斯大学纳米电子器件博士学位。自2010年起在英国利物浦约翰摩尔斯大学电子工程系任教, 与J.F.Zhang教授共同领导器件可靠性实验室。 2014年任比利时欧洲微电子中心访问教授。于2018年起被聘任为Reader，领导微纳电子研究方向 。2020年加盟上海交通大学，担任电子信息与电气工程学院微纳电子学教授，并组建微纳电子器件实验室。
其研究领域涵盖新型材料和结构的微纳电子器件，可靠性表征及物理模型，电路/器件协同设计，以及新型范式计算等。其研究得到了英国EPSRC，InnovateUK，Newton等多个研究基金会超过150万英镑的支持。此外，其研究也得到了主流工业界的支持，包括比利时欧洲微电子中心（imec），ARM，Intel，MIMOS，Tektronix等。由于其研究所产生的潜在经济价值，获得2017年英国牛顿奖提名。
迄今为止，其已发表SCI论文及会议论文超过100篇，其中包括14篇专业顶级会议IEDM和VLSI，并应邀为国际学术会议及企业特邀报告10余次。其也是APL, JAP, TED, EDL等14本专业主流杂志的审稿人，并在IPFA，SSDM等国际会议中担任TPC成员。