奖励信息
（1） 北京大学第四届实验技术成果奖，二等奖，研究所（学校）级，2007
专利成果
（1） 一种石墨烯的生长方法及其石墨烯，发明，2011，第1作者，专利号：201110078118.2
（2） 一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法，发明，2011，第1作者，专利号：CN101598655B
（3） 采用原子力显微镜测量样品界面势垒的装置以及方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110182014.6
（4） 一种III族氮化物衬底的生长方法、衬底以及LED，发明，2011，第3作者，专利号：201110078131.8
（5） 发光二极管及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，发明，2011，第3作者，专利号：201110078136.0
（6） 一种真空原子力显微镜及其使用方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910030522.5
（7） 导电原子力显微镜的探针以及采用此探针的测量方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110179440.4
（8） 微流通道及其制备方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110248442.4
（9） 材料的表面局域电子态的测量装置以及测量方法，发明，2011，第1作者，专利号：201110179440.4
（10） 金属-半导体电极结构及其制备方法，发明，2010，第2作者，专利号：201010574581.1