长期从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体微电子、光电子材料和器件研究工作。主持国家重大科技专项、863重大项目、自然科学基金重大项目、973项目、中科院知识创新工程重要方向项目等多项国家重大课题的研究工作。1995年起在国内率先开展了GaN基微波功率器件结构材料的研究工作，通过自主创新，取得了重大突破，形成了系统的知识产权，取得了一批具有国内领先水平、国际先进水平的突出研究成果，一些成果达到国际领先水平。并基本建成GaN基微电子外延材料和器件研制平台，实现了外延材料的批量供片。用自主研制的GaN基微电子材料，先后合作研制出我国第一支GaN基HEMT器件、第一支GaN基X波段微波功率器件、第一块GaN基微波单片集成电路。用自主研制的MOCVD设备，研制出了3英寸GaN基微波功率器件材料，强有力地支撑了新一代核心电子器件和电路在我国的发展。2009年10月研制成功我国首台一次可生长7片2英寸（3片3英寸）GaN基外延材料的MOCVD工程化样机，该样机经验证具有很好的重复性、稳定性和可靠性，其综合性能与国外同类设备相当。所取得的MOCVD制造的关键专利技术在2012年以无形资产（2000万）投资到广东中科宏微半导体设备有限公司，促进了我国信息产业核心装备-MOCVD装备的自主创新发展和工程化产业化进程。2009年在国内率先研制出InGaN太阳能电池原型器件；2011年研制成功击穿电压超过1000V的GaN基二端和三端电力电子器件。
　　从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文140余篇；获得授权国家发明专利29项，实用新型专利1项；已培养并取得博士学位的研究生23名。2006年荣获中国科学院预先研究先进个人荣誉称号。2009年荣获工信部科学技术成果一等奖。2012年荣获“全国优秀科技工作者”荣誉称号。2012年荣获北京市科学技术奖二等奖。