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论文共 24 篇作者统计合作学者相似作者

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超低電力応用のための急勾配サブ閾値傾斜を有する14nm強誘電体FinFET技術【Powered by NICT】
Z Krivokapic, Urvi Prakash Rana,R Galatage,A Razavieh, A Aziz, J Liu, J Shi, H J Kim,R Sporer,C Serrao, A Busquet,P Polakowski, J Muller,W Kleemeier, A Jacob, D Brown, A Knorr, R Carter,S Banna
IEEE Conference Proceedings (2017): 1-15
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EUVパターン形成と二重歪高移動度チャンネルを特徴とする7nm FinFET技術【Powered by NICT】
R Xie, P Montanini,K Akarvardar, N Tripathi, B Haran, S Johnson, T Hook, B Hamieh,D Corliss, J Wang, X Miao, J Sporre, J Fronheiser, N Loubet, M Sung,S Sieg, S Mochizuki,C Prindle, S Seo, A Greene, J Shearer,A Labonte, S Fan, L Liebmann, R Chao,A Arceo, K Chung,K Cheon,P Adusumilli,H P Amanapu, Z Bi, J Cha, Chen H.-C., R Conti,R Galatage,O Gluschenkov,V Kamineni, K Kim, C Lee,F Lie, Z Liu, S Mehta, Elias Miller, H Niimi, C Niu, C Park, D Park, M Raymond, B Sahu,M Sankarapandian, S Siddiqui, R Southwick, L Sun,C Surisetty, S Tsai,S Whang, Peijie Xu, Yuxuan Xu, C Yeh, P Zeitzoff, J Zhang, J Li, J Demarest, J Arnold, D Canaperi, D Dunn, N Felix, D Gupta, H Jagannathan,S Kanakasabapathy,W Kleemeier,C Labelle, M Mottura, P Oldiges,S Skordas,T Standaert, T Yamashita, M Colburn, M Na, V Paruchuri, S Lian, R Divakaruni, T Gow, S Lee, A Knorr, H Bu, M Khare
IEEE Conference Proceedings (2016): 4
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