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Improved Gm and RTN Device Performance Using Thick SOI in 22FDX® for Analog Applications
L. Pirro,A. Zaka,S. Morvan,O. Zimmerhackl,R. Nelluri, T. Hermann, M. Majer, H. Pagel, N. Wu,M. Otto,J. Hoentschel
2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)pp.1-2, (2022)
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22nm FDSOI technology for emerging mobile, Internet-of-Things, and RF applications
Richard Carter,J. Mazurier,L. Pirro, J-U. Sachse, P. Baars,J. Faul, C. Grass,G. Grasshoff, P. Javorka,T. Kammler, A. Preusse, S. Nielsen, T. Heller, J. Schmidt,H. Niebojewski, P-Y. Chou,E. Smith, E. Erben, C. Metze, C. Bao,Y. Andee, I. Aydin,S. Morvan, J. Bernard,E. Bourjot,T. Feudel,D. Harame,R. Nelluri, H.-J. Thees, L. M-Meskamp,J. Kluth, R. Mulfinger,Mahbub Rashed, R. Taylor, C. Weintraub,J. Hoentschel,M. Vinet,J. Schaeffer,B. Rice
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)（2016）
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