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Impact of Top SiO2 Interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure
Tao Hu, Xianzhou Shao,Mingkai Bai, Xinpei Jia, Saifei Dai, Xiaoqing Sun,Runhao Han, Jia Yang, Xiaoyu Ke, Fengbin Tian, Shuai Yang, Junshuai Chai,Hao Xu,Xiaolei Wang,Wenwu Wang,Tianchun Ye
arxiv（2024）
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Effect of Nitridation of Bottom Interlayer in FeFETs with the TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2< /sub>/bottom Interlayer/Si Substrate Structure
Jia Yang,Runhao Han, Tao Hu, Saifei Dai, Xianzhou Shao, Xiaoqing Sun, Junshuai Chai,Hao Xu,Kai Han, Yanrong Wang, Jing Zhang,Xiaolei Wang,Wenwu Wang,Tianchun Ye
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2024)
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