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InAlN/GaN-on-Si HEMTs with an InGaN Back Barrier for Mm-Wave Applications
Rana ElKashlan,Hao Yu,Uthayasankaran Peralagu, Sachin Yadav, Babak Kazemi,AliReza Alian, Sourish Banerjee,Dongping Xiao,Bertrand Parvais,Nadine Collaert
2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC)pp.241-244, (2024)
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Reverse Gate Leakage Induced Buffer Charging and Threshold Voltage Shift of GaN HEMTs
Hao Yu, Sachin Yadav,Barry O'Sullivan, Tzu-Heng Lin,Aarti Rathi,Alireza Alian, Tian-Li Wu,Rana Elkashlan, Sourish Banerjee,Uthayasankaran Peralagu,Bertrand Parvais,Nadine Collaert
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2024)
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High Performance Mm Wave AlN/GaN MISHEMTs on 200 Mm Si Substrate
S. Yadav,A. Alian,R. ElKashlan,B. J. O’Sullivan,A. Khaled, B. Kazemi,U. Peralagu, S. Banerjee,B. Parvais,N. Collaert
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Transistor Modelling for Mm-Wave Technology Pathfinding
B. Parvais,R. ElKashlan,H. Yu,A. Sibaja-Hernandez,B. Vermeersch,V Putcha,P. Cardinael,R. Rodriguez,A. Khaled,A. Alian,U. Peralagu,M. Zhao,S. Yadav, G. Gramegna,J. Van Driessche,N. Collaert
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (2021)
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