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Understanding Ion Implantation Defect Distributions in Silicon Induced by FIB and Other Ion Sources Using Advanced STEM
Luis J Jauregui, Deanna M Campbell,Michael Titze, David Scrymgeour, Ping Lu
Microscopy and Microanalysisno. Supplement_1 (2024)
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Selective Generation of V2 Silicon Vacancy Centers in 4H-Silicon Carbide
Yongzhou Xue,Michael Titze, John Mack, Zhaohui Yang, Liang Zhang, Shei S. Su,Zheshen Zhang,Linran Fan
NANO LETTERSno. 7 (2024): 2369-2375
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Automation and Optimization of Stopping and Range of Ions in Matter Simulation Runtime
Varun S. Vaidyanathan,David Scrymgeour,Michael Titze
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS (2024)
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