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13.3 A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed IO Rate
Wontaeck Jung,Hyunggon Kim,Do-Bin Kim,Tae-Hyun Kim,Nam-Hee Lee, Dongjin Shin, Minyoung Kim, Youngsik Rho, Hun-Jong Lee, Yujin Hyun, Jaeyoung Park, Taekyung Kim,Hwiwon Kim,Gyeongwon Lee,Jisang Lee,Joonsuc Jang,Jungmin Park,Sion Kim,Su Chang Jeon,Suyong Kim,Jung-Ho Song, Min-Seok Kim,Taesung Lee,Byung-Kwan Chun,Tongsung Kim,Young Gyu Lee,Hokil Lee,Soowoong Lee,Hwaseok Lee,Dooho Cho,Sangwan Nam,Yeomyung Kim,Kunyong Yoon, Yoonjae Lee,Sunghoon Kim, Jungseok Hwang, Raehyun Song, Hyunsik Jang,Jae-Ick Son,Hongsoo Jeon,Myunghun Lee, Mookyung Lee,Kisung Kim,Eungsuk Lee,Myeong-Woo Lee,Sungkyu Jo,Chan Ho Kim,Jong Chul Park, Kyunghwa Yun, Soonock Seol,Ji-Ho Cho, Seungjae Lee,Jin-Yub Lee,SungHoi Hur
2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) (2024): 236-237
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Disturbance-suppressed ReRAM write algorithm for high-capacity and high-performance memory
D S Byeon,Chiweon Yoon,Hyunkook Park,Hyojin Kwon, Yeongtaek Lee,Kisung Kim, Yongyeon Joo,Ingyu Baek,Youngbae Kim, Jeongdal Choi,Kyehyun Kyung
Non-Volatile Memory Technology Symposiumpp.1-4, (2014)
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#Citation: 181

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