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5-Ghz Injection-Locked Delay Cell with 10–25 Ns Adjustable Group Delay in SiGe BiCMOS
Ata S. Nazhad,Amirreza Alizadeh,Milad Frounchi,John D. Cressler,Bertan Bakkaloglu,Sayfe Kiaei
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFSno. 3 (2024): 1042-1046
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A 5-Ghz Injection-Locked Delay Cell with 10–25 Ns Adjustable Group-Delay in a 130-Nm SiGe BiCMOS Technology
A. S. Nazhad,A. Alizadeh,M. Frounchi,J. D. Cressler,B. Bakkaloglu,S. Kiaei
2022 IEEE BICMOS AND COMPOUND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS AND TECHNOLOGY SYMPOSIUM, BCICTSpp.41-44, (2022)
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A 10-W X-Band Class-F High-Power Amplifier in a 0.25-μm GaAs pHEMT Technology
Amirreza Alizadeh,Majid Yaghoobi,Masoud Meghdadi, Ali Medi,Sayfe Kiaei
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniquesno. 1 (2021): 157-169
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Adaptively Biased Output Cap-Less NMOS LDO with 19 Ns Settling Time
Debashis Mandal,Chirag Desai,Bertan Bakkaloglu,Sayfe Kiaei
IEEE transactions on circuits and systems II, Express briefsno. 2 (2019): 167-171
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