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Investigation of NiSi Contacts on N-Type Gallium Nitride Using Low-Temperature Annealing
Dohyun Kim,Min Choi,Tae Yeon Kim,Il-Gyu Choi, Sung-Jae Chang,Hyun-Wook Jung, Ho-Kyun Ahn, Hyun Seok Lee
Applied Science and Convergence Technologyno. 5 (2024): 148-151
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Novel T-Shaped Gate Structure of AlGaN/GaN HEMTs on Si for RF Application
Hyun‐Wook Jung,Ilgyu Choi,Sung‐Jae Chang,Hyeon-Seok Jeong, Soo-Young Choi,Ho‐Kyun Ahn,Dong Min Kang,Dae Hyun Kim, Jong-Won Lim
Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society CD-ROM)no. 35 (2023): 1698-1698
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Impact of Parasitic Gate Capacitance on RF Performance in GaN-Based HEMTs for X-Band Applications
Sung‐Jae Chang,Hyeon-Seok Jeong, Hyun‐Wook Jung, Soo-Young Choi,Ilgyu Choi,Youn Sub Noh, Seong‐Il Kim,Sang‐Heung Lee,Ho‐Kyun Ahn,Dong Min Kang,Dae Hyun Kim, Jong-Won Lim
Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society CD-ROM)no. 35 (2023): 1697-1697
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