主要从事半导体低维结构材料的生长研究和物理分析工作。先后承担和参加多项国家重大项目和重点项目课题。用激光溅射方法成功地获得了室温荧光谱线明显蓝移的GaN纳米点。用激光溅射方法研究了ZnO薄膜的生长及其物理特性。成功地用等离子体溅射方法获得了具有铁电性能的掺Li ZnO薄膜。用多体物理中的GW近似、局域浓度近似（LDA）及微扰等方法计算了GaN和ZnO材料的能带结构及直接跃迁吸收边的性能，并定量地研究了成份偏离对其的影响。在其后的工作期间，主要从事稀释磁性半导体材料（ZnO,GaN,TiO2）的原子层MOCVD生长。获得了居里温度在室温的掺Co ZnO材料。研制成功室温1.0－1.6微米GaInNAsSb/GaAs量子阱材料，首次在国际上报道了1.55微米GaInNAs/GaAs多量子阱谐振腔增强探测器RCE－PD、1.59 微米GaInNAsSb量子阱激光器。创新设计GaAsSb/InGaAs复合量子阱结构，波长覆盖1.2-2.0微米波段。首次在国内报道了1.33 微米InAs量子点激光器；目前最新的进展包括以下几个方面：完成了InAs量子点单光子源的生长；完成了用于THz波产生和探测的低温GaAs材料；完成了单芯片集成的超短脉冲半导体量子点激光器。