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RF Performance and TID Hardness Trade-offs in Annular 45-Nm RF SOI CMOS Devices
Brett L. Ringel,Jeffrey W. Teng,Delgermaa Nergui,Zachary R. Brumbach, Mozhgan Hosseinzadeh, Kan Li, En Xia Zhang, Daniel M. Fleetwood,John D. Cressler
IEEE Transactions on Nuclear Sciencepp.1-1, (2024)
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The Impact of Scaling on the Effects of Mixed-Mode Electrical Stress and Ionizing Radiation for 130-Nm and 90-Nm SiGe HBTs
D. Nergui, M. Hosseinzadeh, Y. A. Mensah, H. P. Lee, D. G. Sam, K. Li, E. X. Zhang,D. M. Fleetwood,John D. Cressler
2024 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM, IRPS 2024 (2024)
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TCAD-Based Design of SiGe HBT Germanium Profiles Via Bayesian Optimization
Justin P. Heimerl, Jeffrey W. Teng, Harrison P. Lee,Delgermaa Nergui, Jackson P. Moody, John D. Cressler
2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)pp.278-281, (2024)
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