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Modélisation 3D des phénomènes de coalescence de fissures dans le Smart Cut
Esso-Passi Pali,Anthony Gravouil,Anne Tanguy,Didier Landru,Oleg Kononchuk
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2022)
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Engineered SiC materials for power technologies
W. Schwarzenbach,S. Rouchier, G. Berre, R. Boulet, O. Ledoux,E. Cela,A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye,H. Biard, K. Alassaad, L. Viravaux,N. Ben Mohamed,D. Radisson, G. Picun, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi,J. Widiez,K. Abadie,E. Rolland,F. Fournel, G. Gélineau,F. Mazen, A. Moulin, C. Moulin,D. Delprat,N. Daval, S. Odoul, P. Sandri,C. Maleville
2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT)（2022）
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SmartSiC™ for Manufacturing of SiC Power Devices
N. Daval,A. Drouin,H. Biard, L. Viravaux,D. Radisson,S. Rouchier,G. Gaudin,J. Widiez,F. Allibert,E. Rolland,K. Vladimirova, G. Gélineau, N. Troutot, C. Navone, G. Berre, D. Bosch, Y.L Leow, A. Duboust,J-M. Bethoux, R. Boulet, A. Chapelle,E. Cela, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, S. Bhargava, W. Schwarzenbach,C. Maddalon,I. Radu, S. Odoul,D. Delprat,O. Bonnin,C. Maleville
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.85-87, (2022)
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Ge Nano-Heteroepitaxy: from Nano-Pillars to Thick Coalesced Layers
Marouane Mastari, Matthew Charles,Patricia Pimenta-Barros,Maxime Argoud, Raluca Tiron,Anne-Marie Papon, Nicolas Chevalier, Jean-Michel Hartmann,Didier Landru, Young-Pil Kim,Oleg Kononchuk
ECS transactionsno. 4 (2022): 317-328
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Identification and Formation Mechanism of a New Interstitial Defect Found in Ion Implanted Silicon
Jérémy Roi,Didier Landru, Oleg Kononchuk,Alain Claverie,Nikolay Cherkashin
ECS Meeting Abstractsno. 34 (2021): 1092-1092
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