基本信息
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职业迁徙
个人简介
Chandani Anand received the M.Tech. degree in microelectronics from Panjab University, Chandigarh, India, and the Ph.D. degree with the Image Sensors Research Group, Electrical Engineering Department, IIT Delhi, India. She currently joined the Samsung R&D Institute, Bengaluru, India. Her professional interests include analog and mixed signal circuit design for CMOS image sensors, time-of-flight cameras, and sensor applications.
研究兴趣
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IEEE Conference Proceedings (2016): 4
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2016 IEEE ASIA PACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS (APCCAS)pp.487-490, (2016)
Athens, Glyfadapp.94-99, (2009)
作者统计
#Papers: 10
#Citation: 39
H-Index: 4
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Diversity: 2
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合作学者
合作机构
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