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Reverse Leakage Current Hysteresis in GaN Schottky Barrier Diodes Interpreted in Terms of a Trap Energy Band
R. A. Pena,B. Orfao,I. Iniguez-de-la-Torre, G. Paz, M. A. Daher,Y. Roelens,M. Zaknoune,J. Mateos,T. Gonzalez,B. G. Vasallo, S. Perez
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 8 (2024): 4524-4529
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