暴露(002)晶面的WO3纳米片薄膜的光电催化性能
Semiconductor Optoelectronics（2021）
摘要
采用一步水热法,以钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为原料,草酸(H2C2O4)为结构导向剂,在FTO衬底上制备了具有高活性(002)面的WO3纳米片薄膜.利用XRD,FESEM对薄膜的物相和形貌进行了分析,通过UV-Vis,PL对薄膜的能带结构和载流子的分离能力进行了表征,通过电化学工作站对WO3薄膜的光电性能进行了研究.分析了草酸用量对WO3 纳米片薄膜的晶体取向、形貌尺寸和光电催化性能的影响.结果表明:草酸用量为0.30 g时,WO3纳米片薄膜的(002)面衍射峰强度最高,具有良好的光电催化性能.
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