SEM中用表面电子束激励势法研究半导体特性
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY（2000）
摘要
本文考虑用一种新的非接触法来研究和测量半导体晶体微区特性的方法,这种方法是基于扫描电镜中控测半导体的表面电子束激励电势(SEBIV)法来研究半导体的电物现特性和测量半导体电物现参数.本文讨论了一种测量半导体晶体的非平衡载流子的扩散长度L和寿命τ的方法.本文还讨论了用本方法可观测到的表面电子束激励电势图像衬度的形成和它与扫描方向、半导体材料的物理特性和表面激励电势极性的关系.
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