100 mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

Han-chao GAO,Zhi-jun YIN, Zhu-feng ZHANG

Journal of Synthetic Crystals（2015）

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摘要

研究了100 mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制.通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性.12个样品方阻的标准差为0.53％,全部偏差1.66％.通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平.

关键词

GaAs PHEMT,molecular beam epitaxy,control,stability

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