移动元件ISEcp1介导blaCTX-M转座机制的分析研究

目的 探索ISEcp1转座单元的类型及其转座机制.方法 采用BLAST比对分析GenBank库中ISEcp1及其下游blaCTX-M所处的基因环境.通过ResFinder预测耐药基因,BLASTN/BLASTP等对ORF和假基因进行核实与信息完善,并利用ISfinder对移动元件进行精细注释,最后运用Inkscape 0.48.1绘图.结果 blaCTX-M常位于移动元件ISEcp1下游,二者可形成完整的转座单元,该转座单元主要可分为6类,即:I SEcp1-blaCTX-M-△orf477转座单元、ISEc1-blaCTX-M-IS90 3-△iroN转座单元、ISEcp 1-blaCTX-M转座单元、ISEcp1-blaCTX-M-or f3转座单元、ISEcp1-blaCTX-M-orfX转座单元和ISEcp 1-bla CTX-M-△IS26-o rf 222转座单元.ISEcp1中的P1为强启动子,调控下游blaCTX-M的表达.结论 ISEcp1可通过捕获不同的基因形成相应的转座单元,这些转座单元在blaCTX-M的传播和表达的过程中起重要作用.