盐胁迫下外源Si和Spd对番茄幼苗生长及光合荧光特性的影响

试验以“中杂9号”番茄(Solanum lycopersicum L.)为试验材料,采用水培法,研究外源硅(Na2SiO3,1.5 mmol·L-1)和亚精胺(Spa,0.25 mmol·L-1)对盐胁迫下(150 mmol·L-1 NaCl)番茄幼苗生长及光合荧光特性的影响.结果 表明,盐胁迫下番茄幼苗生物量积累、根系活力、叶绿素含量及净光合速率均显著下降,其对光合作用的抑制以非气孔因素为主.外源Si和Spd均可缓解盐胁迫对番茄植株的伤害,具体表现为根冠比、叶片相对含水量、根系活力、光合作用增强.外源Si和Spd均可促进盐胁迫下番茄叶绿素积累,Si主要通过维持光合系统完整性提高叶片对光能利用效率;Spd则通过增加叶片气孔开放比例促进CO2同化过程,增强其光合作用;Si和Spd复合处理下番茄生物积累量、叶片相对含水量及渗透势均达最大,但Fv/Fm、φPSⅡ、ETR、qP却均呈不同程度降低,其对叶片光合特性的正调控效应较单施Si或Spd处理弱.综上所述,根施外源1.5 mmol·L-1 Na2SiO3和喷施0.25 mmol· L-1 Spd均可缓解NaCl胁迫伤害,Si和Spd主要通过促进盐胁迫下叶绿素合成,增强植株光合能力缓解胁迫伤害;Si及Spd复合处理则通过调节渗透系统提高番茄抗盐能力.