基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术
Journal of power supply（2019）
摘要
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发.在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器.高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压VBD达到700 V,输出电流ID达到8 A,导通电阻RON为300 mΩ.基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps.
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