基于PA2(CsPbBr3)n-1PbBr4二维层状钙钛矿的电致发光二极管

进一步提高全无机卤铅钙钛矿材料CsPbBr3的发光效率,对制备高效率、高稳定性的电致发光二极管(PeLED)具有重要意义.制备纳米级的钙钛矿量子点,一方面有助于提高激子的束缚能和钙钛矿晶体的荧光效率,另一方面也有利于形成连续、致密的二维层状钙钛矿薄膜.本文采用“原位生长”的策略,将一种具有长链结构的丙基溴化胺(CH3CH2CH2NH3Br,PABr)作为添加剂,与CsPbBr3的前驱体溶液进行共混,得到PA2(CsPbBr3)n-1PbBr4钙钛矿量子点.形成的二维层状钙钛矿薄膜均匀致密,在光致发光条件下,呈现出明亮的蓝绿光发射(发光峰位于506 nm).在电致发光方面,基于PA2(CsPbBr3)n-1PbBr4的PeLED启亮电压为～4.2 V,最大亮度为～2370 cd/m2,最高电流效率为～1.06 cd/A,最高EQE为～0.57％.相较于传统方法,本工作在制作工艺、成膜质量以及PeLED的发光效率有了显著的提升,为将来进一步探索低成本、高效率的蓝光PeLEDs提供了一种可行的思路.