染污复合绝缘子受潮过程中特征量Kh10理论分析

特征量Kh 用于描述复合绝缘子受潮期间的污层状态,研究了其物理意义.针对污层表面局部放电现象,提出了相应的电路模型,并结合试品受潮期间的干区形成过程,进一步探讨了电路模型的正确性.分析认为:Kh 的理论值等于污层剩余电阻与总电阻之比,干区电阻越小,污层表面放电越微弱,Kh 值越大.Kh 值变化与污层表面局部放电相对应,间歇性放电造成Kh 值频繁波动,要评价污层受潮状态,需对Kh 数据进行特殊处理.通过提取周期T 内10 个最小的 Kh 值,得到平均值Kh10,可用于研究染污复合绝缘子的受潮过程.研究发现:试品闪络电压与污秽度、污秽成分、憎水性、受潮程度等多因素有关,特征量Kh10 表征了试品受潮期间的综合表面状态,对于污秽度、污秽成分、憎水性能、受潮方式均不同的染污试品,只要闪络试验前的Kh10 值趋同,闪络电压也接近,由此表明特征量Kh10 对于复合绝缘子人工污秽试验具有良好的适用性.