50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)政毅 半谷,幸宣 垂井,宣卓 加茂,護重 檜枝電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス（2010）引用 23|浏览5暂无评分关键词tAI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
