带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
Faguang xuebao（2008）
摘要
CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响.紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中 ,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大.
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