Nd:GGG晶体生长及组分过冷研究

本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究。扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施。