等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

Xiangbo Zeng,Xianbo Liao,Bo Wang,Hongwei Diao,Songtao Dai,Xianbi Xiang,Xiulan Chang,Yanyue Xu,Zhihua Hu,Huiying Hao,GuangLin Kong

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2004）

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摘要

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.

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关键词

Chemical vapor deposition,Nano-devices,Silicon nanowires

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