冷等离子体处理对大葱种子发芽特性的影响
Nongye Jixie Xuebao/Transactions of the Chinese Society for Agricultural Machinery（2013）
Abstract
运用冷等离子体种子处理技术对大葱种子进行小于20 s非电离幅射处理,研究该技术对于大葱种子发芽势和发芽率的影响.试验结果表明,经不同功率冷等离子体处理后,种子的发芽势和发芽率有明显变化.冷等离子体处理后放置20 d进行发芽试验,当处理功率为240 W时种子的发芽势和发芽率提高最大,分别比对照提高10.6％和5.2％.冷等离子体处理后放置20 d和放置4d进行发芽试验,大葱种子的发芽势和发芽率都比对照有明显改变,并且具有一致的规律性.
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Key words
Germination characteristics,Germination potential,Germination rate,Low-temperature plasma,Seeds of green onion
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