热处理对Ta/Ni_(0.65)Co_(0.35)薄膜微结构和磁电阻性能的影响

WANG Li-jin,CHEN Lian-kang,GUO Ge,WANG Yun-jiao,YU Ya-duo,YU Guang-hua

Journal of University of Science and Technology Beijing（2009）

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摘要

选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加.

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关键词

sensor,sensitivity,texture,film materials,anisotropic magnetoresistace(AMR)

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