InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响

TIAN Fang-Kun,AI Li-Kun, SUN Guo-Yu,XU An-Huai,HUANG Hua,GONG Qian,QI Ming

Journal of Infrared and Millimeter Waves（2022）

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摘要

采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对In0.66Ga0.34As/InyAl1-yAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响.研究了不同厚度和不同铟含量的InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响.结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm2/(Vs)-1(23200 cm2/(Vs)-1)3.255E12 cm-2(2.732E12 cm-2).当InyAl1-yAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm.本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持.

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关键词

InyAl1-yAs graded buffer layer,InP,high electron mobility transistor(HEMT)

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