全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间模型.最后,讨论了渡越时间与集电区掺杂浓度、集电结电压、传输电流的关系,并与传统器件的渡越时间进行了比较.该渡越时间模型的建立为SOI SiGe HBT特征频率的设计与优化提供了理论基础.