一种高阶温度补偿的带隙基准电压源

Qianneng ZHOU,Haifeng XU,Hongjuan LI,Tiancai WAN

Microelectronics（2018）

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摘要

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源.采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路.该带隙基准电压源获得了低温漂的性能.仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1 Hz、10Hz、100Hz、1 kHz、100 kHz时,分别获得了-77.84 dB、-77.84 dB、-77.83 dB、-77.42 dB、-48.05 dB的电源抑制比.

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