碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(上)

0 引言 在过去的50多年中,采用碲镉汞材料的红外探测器技术发生了很大的变化,从整块晶体生长和单个光电探测器制备发展到了非常复杂的外延生长材料和高密度成像焦平面阵列.然而,现有的基于碲镉汞的红外系统依然离不开笨重且昂贵的低温制冷技术.因此,人们把这一领域的研究与发展重点集中在了提高像元密度、降低冷却功率和提高加工成品率上.另外,人们还在研究和开发基于碲镉汞的多波段红外系统和高光谱红外系统.为了满足这些目标要求,人们急需具有更高质量的碲镉汞材料和新颖的器件体系结构,以此缓解对现有碲镉汞探测器性能具有影响的限制因素.