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サブ20nm CMOSのための高性能埋込STT‐MRAMのための100 μA以下のサブIII nsパルスでの1×2×‐nmの垂直MTJスイッチング【Powered by NICT】

Saida Daisuke, Kashiwada Saori,Yakabe Megumi,Daibou Tadaomi,Fukumoto Miyoshi,Miwa Shinji,Suzuki Yoshishige,Abe Keiko,Noguchi Hiroki,Ito Junichi,Fujita Shinobu

IEEE Transactions on Electron Devices（2017）

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