InGaAs近红外探测器高可靠封装技术

Dafu Liu,Liyi Yang,Qinfei Xu,Jiarong Wu,Simin Hong,Yizhang Shen

Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering（2011）

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摘要

对256元和512元InGaAs线列探测器进行了气密封装,对封装结构和工艺中的几个关键技术进行了分析,包括热电致冷器的热负载性能、温度烘烤性能、组件密封性.研究结果表明:在室温条件下,热电致冷器的致冷温差可以达到55K以上,热负载每增加50 mW,致冷温差下降约0.51 K,能够满足组件的使用要求.经过120℃、500h的烘烤后,热电致冷器仍能保持性能不变.组件的密封性达到了国军标的要求.

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关键词

Hermeticity,InGaAs,Parallel seam welding,Seal,Thermoelectric cooler

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